Код 3818 00 900 0
ПРОЧИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ; ПРОЧИЕ СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
РАЗДЕЛ VI
38
3818 00
3818 00 900 0
| Импортная пошлина: | 0% | |
| Экспортная пошлина: | Отсутствует | |
| Ввозной НДС: | 20% |
Документы, необходимые для ввоза (вывоза)
Приведенный список документов основан на коде товара по ТН ВЭД и является ориентировочным. Необходимость получения документов зависит от характеристик конкретного товара.
Свяжитесь с нами для получения более точной информации.
Мы готовы оформить для Вас все эти документы.
Документы экспортного контроля
Виды документов: Идентификационное заключение ФСТЭК, Лицензия ФСТЭК, Разрешение КЭК.
Документы требуются при вывозе с территории России (иногда при ввозе) товаров двойного назначения (или товаров, которые потенциально могут быть отнесены к таковым).
Под товарами двойного назначения понимается продукция, которая потенциально может быть использована как в гражданской, так и в военной сфере.
Примеры декларирования по данному коду
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ИСПОЛЬЗУЕТСЯ В КАЧЕСТВЕ СЫРЬЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ; ПОЛУПРОВОДНИК, В СЛИТКАХ, ДИАМЕТРОМ 30 ММ, ДЛИНОЙ 120+150 ММ, ВЫРАБАТЫВАЕТСЯ ИЗ ИСХОДНЫХ КОМПОНЕНТОВ TE, BI, SE, SB
3818 00 900 0
ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ: ; ДИСК ИЗ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНО -ТИРИСТОРНЫХ МОДУЛЕЙ ПРИЖИМНОЙ КОНСТРУКЦИИ, ДИАМЕТР 17 ММ, ТОЛЩИНА 1. 5 ММ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ (ЗАГОТОВКИ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОДУЛЕЙ (ЭЛЕМЕНТОВ ПЕЛЬТЬЕ) , КОТОРЫЕ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ; ЗАГОТОВКИ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2TE2. 7SE0. 3) , В СЛИТКАХ, N-ТИП, 30X240MM - X ШТ СЛИТКОВ. ПРОМАРКИРОВАНЫ НОМЕРОМ XNXXX-X (ГДЕ N - ТИП ПРОВОДИМОСТИ, X - ЦИФРОВЫЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ ИДЕНТИФИКАТОРЫ. ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ: ; КРЕМНИЕВАЯ ПОДЛОЖКА, 4", N-ТИП, SSP, (100) , 0, 001-0, 5 ОМ*СМ, СО СЛОЕМ ОКСИДА ТОЛЩИНОЙ 300 НМ; ПЛАСТИНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ N-ТИП 4"; ДИАМЕТР ПЛАСТИНЫ: 4"; ОРИЕНТАЦИЯ: (100) ; ТОЛЩИНА: 0. 5 ММ; ТИП ПРОВОДИМОСТИ: N-ТИП; ПОВЕРХНОСТЬ: ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ (ЗАГОТОВКИ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОДУЛЕЙ (ЭЛЕМЕНТОВ ПЕЛЬТЬЕ) , КОТОРЫЕ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ; ЗАГОТОВКИ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2TE2. 7SE0. 3) , В СЛИТКАХ, СЛИТКИ N TYPE, 30X240MM - X ШТ СЛИТКОВ, ПРОМАРКИРОВАНЫ НОМЕРОМ XNXXX-X (ГДЕ N - ТИП ПРОВОДИМОСТИ, X - ЦИФРОВЫЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ ИДЕНТИФИКАТОРЫ) ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ: ПОДЛОЖКИ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ 4 ДЮЙМА (100 ММ) .; ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ КРУГЛЫЕ ДИСКИ ДИАМЕТРОМ 100 ММ И ТОЛЩИНОЙ 500 МКМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ПУТЕМ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ GAN НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕЙ ПОДЛОЖКЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПОЛИТИПА 4H (СЛОЙ ВЫРАЩЕН МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИИ) . ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ (ЗАГОТОВКИ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОДУЛЕЙ (ЭЛЕМЕНТОВ ПЕЛЬТЬЕ) , КОТОРЫЕ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ; ЗАГОТОВКИ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2TE2. 7SE0. 3) , В СЛИТКАХ, N-ТИП, 30X240MM - X ШТ СЛИТКОВ. ПРОМАРКИРОВАНЫ НОМЕРОМ XNXXX-X (ГДЕ N - ТИП ПРОВОДИМОСТИ, X - ЦИФРОВЫЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ ИДЕНТИФИКАТОРЫ) ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ (ЗАГОТОВКИ) В ВИДЕ СЛИТКОВ, ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОДУЛЕЙ (ЭЛЕМЕНТОВ ПЕЛЬТЬЕ) , КОТОРЫЕ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ; СЛИТКИ Н-ТИПА, 30Х240ММ, НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2TE2. 7SE0. 3) , 42 СЛИТКА; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ПЛАСТИН, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ; МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛАСТИНЫ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ( GAAS) ЛЕГИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕМ, РАЗМЕРЫ-ДИАМЕТР 76, 2 ММ. ТОЛЩИНА 620 МКМ. , РР / SEMI-EJ. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ КАК ПОДЛОЖКА В ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМЫ, МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ СВЧ, ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ПЛАСТИНА ИЗГОТОВЛЕННАЯ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ХИМИЧЕСКИ ЛЕГИРОВАННАЯ. ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ С ЦЕЛЬЮ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ПОСТАВЛЯЮТСЯ В ГЕРМЕТИЧНЫХ/ВАКУУМНЫХ УПАКОВКАХ ДЛЯ СОХРАННОСТИ . ; PL15-12, ВЫПОЛНЕНА НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКТА ФОТОШАБЛОНОВ GP279XX. ПРЕДСТАВЛЯЕТ СОБОЙ ДИСК ДИАМЕТРОМ 150 ММ (ДО ПРОВЕДЕНИЯ ЧАСТИЧНОЙ ИЛИ ПОЛНОЙ РЕЗКИ) И ТОЛЩИНОЙ 100 МКМ, ИЗ МАТЕРИАЛА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ПРОШЕДШИЕ ВЫРАЩИВАНИЕ НА ЛИЦЕВОЙ ПОВЕРХНОСТИ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ (ЗАГОТОВКИ) В ВИДЕ СЛИТКОВ, ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОДУЛЕЙ (ЭЛЕМЕНТОВ ПЕЛЬТЬЕ) , КОТОРЫЕ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ; ЗАГОТОВКИ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2TE2. 7SE0. 3) , В ВИДЕ СЛИТКОВ Н-ТИПА, ДИАМЕТРОМ 30 ММ, ДЛИНОЙ 120 ММ, ВСЕГО X ШТУК СЛИТКОВ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ИСПОЛЬЗУЕТСЯ В КАЧЕСТВЕ СЫРЬЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ; ПОЛУПРОВОДНИК, В СЛИТКАХ, ДИАМЕТРОМ 30ММ, ДЛИНОЙ 120+150 ММ, ВЫРАБАТЫВАЕТСЯ ИЗ ИСХОДНЫХ КОМПОНЕНТОВ TE, BI, SE, SB; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ (ЗАГОТОВКИ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОДУЛЕЙ (ЭЛЕМЕНТОВ ПЕЛЬТЬЕ) , КОТОРЫЕ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ОХЛАЖДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ МАЛОЙ МОЩНОСТИ; КУБИКИ 1, 4X1, 4X1, 57ММ, Н-ТИП, НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2TE2. 7SE0. 3) ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ЭЛЕМЕНТЫ ПОМЕЩЕНЫ В ПЛАСТИКОВУЮ КОРОБКУ, ВНУТРИ СО ВСТАВКОЙ ИЗ ПЕНОМАТЕРИАЛА С ЯЧЕЙКАМИ ДЛЯ 10 ЕДИНИЦ ТОВАРА В КАЖДОЙ ЯЧЕЙКЕ; РЕНТГЕНОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СЕЛЕНИДА ЦИНКА (ZNSE) ТИПА К. 12 ЯВЛЯЮТСЯ ЗАГОТОВКАМИ ДЛЯ ДАТЧИКОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУ- ЧЕНИЯ, ИЗГОТОВЛЕНЫ ИЗ КРИСТАЛЛА СЕЛЕНИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ИЗ РАСПЛАВА. ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ФОРМЕ ДИСКА ДИАМЕТРОМ 4" ДЮЙМА (100 ММ) , ТОЛЩИНОЙ 0, 63 ММ, ОСНОВА ИЗГОТОВЛЕНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS) , С ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРОЙ ТИПА PHEMT ТОЛЩИНОЙ ОКОЛО 3 МКМ ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ОСНОВНОГО ИСХОДНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ УСИЛИТЕЛЕЙ. ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ; ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМИ СЛОЯМИ СОЕДИНЕНИЙ НИТРИДА ГАЛЛИЯ (GAN) P-ТИПА, ЛЕГИРОВАННОГО МАГНИЕМ (MG) И НИТРИДА ГАЛЛИЯ (GAN) N-ТИПА, ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЕМ (SI) , НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ (AL2O3) , КРУГЛОЙ ФОРМЫ ДИАМЕТРОМ 4 ДЮЙМА И ТОЛЩИНОЙ 660 МКМ. ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ; СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ: АРТ: MONOLAYER GRAPHENE ON PET, MONOLAYER GRAPHENE ON 300 NM SIO2/SI, MONOLAYER GRAPHENE ON QUARTZ - X ШТ. АРТ: EASY TRANSFER: MONOLAYER GRAPHENE ON POLYMER FILM, MONOLAYER GRAPHENE ON CU WITH PMMA COATING, MONOLAYER GRAPHENE ON CU - X ШТ. ПРОИЗВ. : NANJING MKNANO TECHNOLOGY CO. LTD (TM) 2D SEMICONDUCTORS; НАБОР ПЛАСТИНОК С НАНЕСЕННЫМИ ХИМИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ В ОПТИЧЕСКИХ ЛАБОРАТОРИЯХ. СЕРИЯ: MONOLAYER. МАТЕРИЛ ПОКРЫТИЯ: C (ГРАФЕН) . МАТЕРИАЛ ПЛАСТИНКИ: ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТ. РАЗМЕР: 10 Х 10 ММ. ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ЭЛЕМЕНТЫ ПОМЕЩЕНЫ В ПЛАСТИКОВУЮ КОРОБКУ, ВНУТРИ СО ВСТАВКОЙ ИЗ ПЕНОМАТЕРИАЛА С ЯЧЕЙКАМИ ДЛЯ 10 ЕДИНИЦ ТОВАРА В КАЖДОЙ ЯЧЕЙКЕ; РЕНТГЕНОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СЕЛЕНИДА ЦИНКА (ZNSE) ТИПА К. 16, ЯВЛЯЮТСЯ ЗАГОТОВКАМИ ДЛЯ ДАТЧИКОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ИЗГОТОВЛЕНЫ ИЗ КРИСТАЛЛА СЕЛЕНИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛИЗАЦИИ ИЗ РАСПЛАВА. ТУ 72. 19. 21; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ПЛАСТИНА, СОДЕРЖАЩАЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ СОЕДИНЕНИЯ, С ВЫРАЩЕНННЫМИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫМИ СЛОЯМИ РАЗЛИЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ. ; ОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА ИЗГОТОВЛЕННАЯ ПО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМУ ПРОЦЕССУ NP25-00 (МАССОВОЕ ПРОИЗВОДСТВО) . ПРЕДСТАВЛЯЕТ СОБОЙ ЗАГОТОВКУ (ПОЛУФАБРИКАТ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА УСТАНОВОЧНОЙ СЕРИИ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ) . СОЗДАНИЕ; (ФИРМА) ; (TM)
3818 00 900 0
ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ПЛАСТИН, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ; ПЛАСТИНЫ ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, ДИАМЕТР 76, 2ММ, ТОЛЩИНА - 0, 5ММ, Y-СРЕЗ, ОДНОСТОРОННЯЯ ПОЛИРОВКА; (ФИРМА) ; (TM)
Решения по классификации товаров по данному коду
3818 00 900 0
Товар представляет собой подложку в форме дисков диаметром 100, 00 - 100, 02 мм, толщиной 143-150 микрон, выполненные из монокристаллического германия электронного класса, легированные галлием. Товар применяется для производства элементов солнечных батарей и являются основой, на которой сверху выращены (осаждены, нанесены) эпитаксиальные слои, образующие структуру элементов солнечных батарей. Товар упакован в индивидуальный пластмассовый пенал.
3818 00 900 0
Эпитаксиальные структуры . .. (145 мкм) представляют собой подложки в форме дисков диаметром 100±0, 25 мм, толщиной 150±20 мкм, выполненные из монокристаллического германия электронного класса, легированные галлием. Товар применяется для производства элементов солнечных батарей и являются основой, на которой сверху выращены (осаждены, нанесены) эпитаксиальные слои, образующие структуру элементов солнечных батарей. Товар упакован в индивидуальный пластмассовый пенал с резьбой.