Код 8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МБИТ
РАЗДЕЛ XVI
85
8542
…
8542 32 610 0
| Импортная пошлина: | 0% | |
| Экспортная пошлина: | Отсутствует | |
| Ввозной НДС: | 20% |
Для ввоза (вывоза) могут потребоваться следующие документы
Приведенный список документов основан на коде товара по ТН ВЭД и является ориентировочным. Необходимость получения документов зависит от характеристик конкретного товара.
Свяжитесь с нами для получения более точной информации.
Мы готовы оформить для Вас все эти документы.
Документы о соответствии Техническим регламентам ЕАЭС
Виды документов: Сертификат соответствия, Декларация о соответствии
* отдельные технические регламенты предусматривают иные виды подтверждения соответствия.
Документы требуются при ввозе товаров, на которые распространяются требования технических регламентов ЕАЭС, а также при их обращении и использовании на территории ЕАЭС. Общий перечень видов таких товаров установлен Решением Комиссии Таможенного союза от 28 ноября 2011 г. № 526.
Более подробная информация для данного кода ТН ВЭД представлена ниже.
Документы экспортного контроля
Виды документов: Идентификационное заключение ФСТЭК, Лицензия ФСТЭК, Разрешение КЭК.
Документы требуются при вывозе с территории России (иногда при ввозе) товаров двойного назначения (или товаров, которые потенциально могут быть отнесены к таковым).
Под товарами двойного назначения понимается продукция, которая потенциально может быть использована как в гражданской, так и в военной сфере.
Примеры декларирования по данному коду
8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МИБИТ: ; ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, ФЛЕШ ПАМЯТЬ ОБЪЁМ 16 БИТ. НАПРЯЖЕНИЕ 1. 8 В. РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: -40. .. 125 °C. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ В КАЧЕСТВЕ КОМПЛЕКТУЮЩИХ НА ПРОИЗВОДСТВЕ АВТОМОБИЛЬНЫХ КОМПОНЕНТОВ ООО < НПП < ИТЭЛМА> ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ("ФЛЭШ-ПАМЯТЬ") МОД. MTFC32GAZAQHD-WT, ОБЪЕМОМ 1024 КБ (8 МБИТ) , В ФОРМЕ МИКРОСХЕМЫ, НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ ПОЛНОСТЬЮ ПАССИВНЫЕ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ОТНОШЕНИИ, НЕ СОДЕРЖАЩИЕ ИНФОРМАЦИЮ (НЕ ЗАПИСАННЫЕ) , ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ РЕМОНТА И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ ОБЩЕГРАЖДАНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ: ; МИКРОСХЕМА ФЛЭШ-ПАМЯТИ 1024 КБ, 8-МИ РАЗРЯДНАЯ, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2. 2-4. 3В, ТАКТОВАЯ ЧАСТОТА 60 ГЦ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
МИКРОСХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ - ФЛЭШ-ЭС ППЗУ ОБЪЕМОМ НЕ БОЛЕЕ 512MB, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФЛЕШ-НАКОПИТЕЛЯХ, НЕ СОДЕРЖАТ КРИПТОГРАФИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ И НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ШИФРОВАЛЬНЫМИ СРЕДСТВАМИ. ТОВАР ВВОЗИТСЯ В КАЧЕСТВЕ КОМПЛЕКТУЮЩИХ И РАСХОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИНСКИХ ПЛАТ НА СОБСТВЕННОМ ПРОИЗВОДСТВЕ: ; А GIANTEC GT24C128B-2GLI-TR - ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ ДОСТУПА К ДАННЫМ I2C, ОБЪЕМОМ 128КБИТ В КОРПУСЕ SOIС-8 (5. 23X5. 23 ММ) , НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ: ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМЫЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ФЛЭШ-ПАМЯТЬ ППЗУ, РАЗМЕР ПАМЯТИ 16 МБИТ, ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ, НЕ ЛОМ ТОВАР ЯВЛЯЕТСЯ ТОВАРОМ ОБЩЕГРАЖДАНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ, ВЕС НЕТТО УКАЗАН С УЧЕТОМ ИНДИВИДУАЛЬНОЙ УПАКОВКИ; А ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ: ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМАЯ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ ПОСТОЯННАЯ КОНФИГУРАЦИОННАЯ ФЛЭШ ПАМЯТЬ ОБЪЁМОМ 16 МБИТ, ЧАСТОТА 40 МГЦ. НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 3, 3 В; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
МИКРОСХЕМЫ EEPROM ПАМЯТИ 24LC01BT-I/OT (MICROCHIP TECHNOLOGY) . ХАРАКТЕРИСТИКИ: КАТЕГОРИЯ ПРОДУКТА: MEMORY & DATA STORAGE. ВИД МОНТАЖА: SMD/SMT. ТИП ИНТЕРФЕЙСА: 2-WIRE, I2C. РАЗМЕР ПАМЯТИ: 1 KBIT. ОРГАНИЗАЦИЯ: 128 X 8. РАБОЧИЙ ТОК ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ: 3 MA. РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 2. 5 V TO 5. 5 V. ПРОГРАММИРУЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 2. 5 V TO 5. 5 V. МАКСИМАЛЬНАЯ ТАКТОВАЯ ЧАСТОТА: 400 KHZ. ВРЕМЯ ДОСТУПА: 900 NS. СОХРАНЕНИЕ ДАННЫХ: 200 YEAR. ДЛИНА: 3, 1 MM (MAX) . ШИРИНА: 1, 8 MM (MAX) . ВЫСОТА: 1, 3 MM (MAX) . ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР: - 40 ° C: + 85 ° C. ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МИБИТ: ; ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, ФЛЭШ-ПАМЯТЬ ОБЪЕМОМ 512КБИТ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
МИКРОСХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ - ФЛЭШ-ЭС ППЗУ ОБЪЕМОМ НЕ БОЛЕЕ 512MB, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФЛЕШ-НАКОПИТЕЛЯХ, НЕ СОДЕРЖАТ КРИПТОГРАФИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ И НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ШИФРОВАЛЬНЫМИ СРЕДСТВАМИ. ТОВАР ВВОЗИТСЯ В КАЧЕСТВЕ КОМПЛЕКТУЮЩИХ И РАСХОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИНСКИХ ПЛАТ НА СОБСТВЕННОМ ПРОИЗВОДСТВЕ: ; А MXIC MX25L4006EM2I-12G - ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ ДОСТУПА К ДАННЫМ SPI, ОБЪЕМОМ 4МБИТ В КОРПУСЕ 8-SOP 200MIL (5. 23X5. 28 ММ) , НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 3. 3В; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МБИТ, : ; ПАМЯТЬ MX25U12872FM2I02/05G001813010AK, ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПОВЕРХНОСТЬ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ МАШИНЫ, MAX НАПРЯЖЕНИЕ НА MB 5V; № 1559515; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ, ЦИФРОВАЯ, МОНОЛИТНАЯ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (ЭСППЗУ) , ФЛЭШ-ПАМЯТЬ, БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩАЯ, В МИНИАТЮРНОМ ПЛАСТИКОВОМ КОРПУСЕ ПОД ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ КОНФИГУРИРОВАНИЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ПОСТРОЕНИЯ ВНУТРЕННИХ БЛОКОВ ПАМЯТИ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ И СИСТЕМ, /НЕ ОТНОСИТСЯ К ШИФРОВАЛЬНЫМ (КРИПТОГРАФИЧЕСКИМ) СРЕДСТВАМ , НЕ СОДЕРЖИТ БЛОКОВКОДИРОВАНИЯ ИЛИ ДЕКОДИРОВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ, НЕ ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ, НЕ ЛОМ, НЕ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ СОДЕРЖИТ ДРАГ. МЕТАЛЛОВ. /; "ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: ? ТИП ПАМЯТИ: FLASH IN-SYSTEM PROGRAMMING? НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА: 2, 7 - 3, 6 В? СТАТИЧЕСКИЙ ТОК ПИТАНИЯ: 0, 02 А? ОБЪЕМ ПАМЯТИ: 256 МБИТ (268 435 456 БИТ) ? КОЛИЧЕСТВО ЦИКЛОВ ПРОГРАММИРОВАНИЯ/СТИРАНИЯ: ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ: ФЛЭШ-ЭС ППЗУ: ; ПАМЯТЬ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ, НАПР. 3, 6В, ТОК 0, 1МА; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МБИТ) , ФУНКЦИИ КРИПТОГРАФИИ/ШИФРОВАНИЯ ОТСУТСТВУЮТ, НЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В МАЙНИНГЕ; XC18V02VQG44C ППВМ - КОНФИГУРАЦИОННАЯ ПАМЯТЬ, ТИП ПАМЯТИ: EEPROM , РАЗМЕР ПАМЯТИ: 2 MBIT , МАКСИМАЛЬНАЯ РАБОЧАЯ ЧАСТОТА: 33 MHZ , РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 3. 3 В , МИНИМАЛЬНАЯ РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: 0 C , МАКСИМАЛЬНАЯ РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: + 70 C; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МИБИТ: , МАЛЬТА; ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, ФЛЕШ ПАМЯТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ SPI, ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬЮ 32 БИТ. НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 3. .. 5. 5 В . РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: -40. .. 150 °C. НЕ ИМЕЕТ СРЕДСТВ ШИФРОВАНИЯ И КРИПТОГРАФИИ. ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ, ЦИФРОВАЯ, МОНОЛИТНАЯ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (ЭСППЗУ) , ФЛЭШ-ПАМЯТЬ, БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩАЯ, В МИНИАТЮРНОМ ПЛАСТИКОВОМ КОРПУСЕ ПОД ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ КОНФИГУРИРОВАНИЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ПОСТРОЕНИЯ ВНУТРЕННИХ БЛОКОВ ПАМЯТИ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ И СИСТЕМ. /НЕ ОТНОСИТСЯ К ШИФРОВАЛЬНЫМ (КРИПТОГРАФИЧЕСКИМ) СРЕДСТВАМ, НЕ СОДЕРЖИТ БЛОКОВКОДИРОВАНИЯ ИЛИ ДЕКОДИРОВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ, НЕ ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ, НЕ ЛОМ, НЕ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ СОДЕРЖИТ ДРАГ. МЕТАЛЛОВ. /; "ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: ТИП ПАМЯТИ: FLASH IN-SYSTEM PROGRAMMINGНАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА: 2, 7 - 3, 6 ВСТАТИЧЕСКИЙ ТОК ПИТАНИЯ: 0, 0001 АОБЪЕМ ПАМЯТИ: 64 МБИТ (67 108 864 БИТ) КОЛИЧЕСТВО ЦИКЛОВ ПРОГРАММИРОВАНИЯ/СТИРАНИЯ: ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, СОДЕРЖАЩИЕ АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ) , СОБРАННЫЕ, С ВЫВОДАМИ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА ОДНОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ КРИСТАЛЛЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ СИСТЕМ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. НЕ ИМЕЮЩИЕ ФУНКЦИЙ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) . УПАКОВАНЫ В СПЕЦИАЛЬНУЮ УПАКОВКУ НЕ ДЛЯ РОЗНИЧНОЙ ПРОДАЖИ - ПЛАСТИКОВЫЕ КАТУШКИ/ЛИНЕЙКИ, ПОМЕЩЕННЫЕ В ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ КАРТОННЫЕ КОРОБКИ ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКОГО ПОВРЕЖДЕНИЯ. УПАКОВКА ПРЕДНАЗНАЧЕНА ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ТРАНСПОРТИРОВКИ. НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ТОВАРАМИ, ПОИМЕНОВАННЫМИ В ПРИМЕЧАНИИ 9Б (III) ; МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ - ФЛЕШ ПАМЯТЬ. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ В ПРИБОРАХ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ ОБЪЕМОМ ДО 32 МБИТ. НЕ СОДЕРЖАТ ШИФРОВАНИЯ. НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 2, 7 В ДО 3, 6 В. КОРПУС SOIC-8. РАСПОЛОЖЕНЫ В ЛЕНТЕ, УПАКОВАНЫ В; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ СХЕМА ВНУТРИСИСТЕМНОЙ ПРОГРАММИРУЕМОЙ КОНФИГУРАЦИОННОЙ ПАМЯТИ ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОМ ОБОРУДОВАНИИ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЛАТУ, НЕ ОБЛАДАЕТ ФУНКЦИЯМИ ШИФРОВАЛЬНЫХ ( КРИПТОГРАФИЧЕСКИХ) СРЕДСТВ: ; ИС ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПЛАТФОРМА ФЛЕШ-ПАМЯТИ, ТИП ПАМЯТИ NOR, ОБЪЕМ ПАМЯТИ 4 МБИТ, БЫСТРОДЕЙСТВИЕ 90 НС, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 4. 75-5. 25 В, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40 +85С, КОРПУС TSOP-48, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМАЯ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ЕМКОСТЬЮ 64 КИЛОБИТА, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ, ,МАР-КА: 757-00222456 ПРИМЕНЯЕТСЯ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ НЕ БОЛЕЕ 512 МБИТ, НЕ ЯВЛЯЕТСЯ ЛОМОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, НЕ ИМЕЕТ ФУНКЦИЙ ШИФРОВАНИЯ И КРИПТОГРАФИИ, НЕ ИМЕЕТ В СОСТАВЕ СРЕДСТВ ДЛЯ НЕГЛАСНОГО ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ РЕМОНТА БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ КАССОВОГО АППАРАТА, ОБЩЕГРАЖДАНСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ: ; МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ NOR FLASH [SOP8-150MIL] 3. 3V; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ СХЕМА ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА ЭС ППЗУ (EEPROM) , ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ В ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОМ ОБОРУДОВАНИИ, НЕ СОДЕРЖИТ ФУНКЦИИ КРИПТОГРАФИИ (ШИФРОВАНИЯ) :; ИС ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ, НЕЗАПИСАННОЕ, НЕ ОБЛАДАЕТ ФУНКЦИЯМИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , ОБЪЕМ ПАМЯТИ 16 КБИТ (2 K X 8/1 K X 16) , ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ 3-WIRE, MICROWIRE, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 1. 8-5. 5 В, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40 +; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, СОДЕРЖАЩИЕ АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ) , СОБРАННЫЕ, С ВЫВОДАМИ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА ОДНОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ КРИСТАЛЛЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ СИСТЕМ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. НЕ ИМЕЮЩИЕ ФУНКЦИЙ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) . УПАКОВАНЫ В СПЕЦ. УПАКОВКУ НЕ ДЛЯ РОЗН. ПРОДАЖИ - ПЛАСТИКОВЫЕ КАТУШКИ/ЛИНЕЙКИ, ПОМЕЩЕННЫЕ В ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ КАРТОННЫЕ КОРОБКИ ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКОГО ПОВРЕЖДЕНИЯ. УПАКОВКА ПРЕДНАЗНАЧЕНА ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ТРАНСПОРТИРОВКИ. НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ТОВАРАМИ, ПОИМЕНОВАННЫМИ В ПРИМЕЧАНИИ 9Б (III, IV) .; МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ - ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМЫЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ЭС ППЗУ) : ФЛЕШ ПАМЯТЬ. ИСПОЛЬЗУЮТСЯ В ПРИБОРАХ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ ОБЪЕМОМ ДО 256 МБИТ. НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 610 0
МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ (ФЛЭШ-ЭС ППЗУ) ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ (НЕ РАДИОЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ СОДЕРЖАТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ) :; А ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ (ФЛЭШ-ЭС ППЗУ) ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ, НАПРЯЖЕНИЕ 1, 65-3, 6 В, ОБЪЕМ ПАМЯТИ 2 МИБИТ; (ФИРМА) ; (TM)