Код 8542 32 690 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ БОЛЕЕ 512 МБИТ
РАЗДЕЛ XVI
85
8542
…
8542 32 690 0
| Импортная пошлина: | 0% | |
| Экспортная пошлина: | Отсутствует | |
| Ввозной НДС: | 20% |
Для ввоза (вывоза) могут потребоваться следующие документы
Приведенный список документов основан на коде товара по ТН ВЭД и является ориентировочным. Необходимость получения документов зависит от характеристик конкретного товара.
Свяжитесь с нами для получения более точной информации.
Мы готовы оформить для Вас все эти документы.
Документы о соответствии Техническим регламентам ЕАЭС
Виды документов: Сертификат соответствия, Декларация о соответствии
* отдельные технические регламенты предусматривают иные виды подтверждения соответствия.
Документы требуются при ввозе товаров, на которые распространяются требования технических регламентов ЕАЭС, а также при их обращении и использовании на территории ЕАЭС. Общий перечень видов таких товаров установлен Решением Комиссии Таможенного союза от 28 ноября 2011 г. № 526.
Более подробная информация для данного кода ТН ВЭД представлена ниже.
Документы экспортного контроля
Виды документов: Идентификационное заключение ФСТЭК, Лицензия ФСТЭК, Разрешение КЭК.
Документы требуются при вывозе с территории России (иногда при ввозе) товаров двойного назначения (или товаров, которые потенциально могут быть отнесены к таковым).
Под товарами двойного назначения понимается продукция, которая потенциально может быть использована как в гражданской, так и в военной сфере.
Примеры декларирования по данному коду
8542 32 690 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ БОЛЕЕ 512 МБИТ, ГРАЖД. НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ЛОМ; МОДУЛЬ FLASH-ПАМЯТИ, 3. 3 В, 1 ГБ, 43 НМ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МОНОЛИТЫЕ ДЛЯ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПРОМЫШЛЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ И БЫТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ) . ВСТРАИВАЕМЫЕ. НЕ ЯВЛЯЕТСЯ СПЕЦИАЛЬНЫМ ТЕХНИЧЕСКИМ СРЕДСТВОМ ДЛЯ НЕГЛАСНОГО СБОРА И РЕГИСТРАЦИИ ИНФОРМАЦИИ; ИС-RAM ПАМЯТЬ, РАЗМЕР ПАМЯТИ: 1 GBIT, НА НАПРЯЖЕНИЕ ДО 1, 95 В; НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ. НЕ ИМЕЕТ ФУНКЦИЙ ШИФРОВАНИЯ И КРИПТОГРАФИИ И НЕ СОДЕРЖИТ В СВОЕМ СОСТАВЕ ШИФРОВАЛЬНЫЕ И КРИПТОГРАФИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ БОЛЕЕ 512 МИБИТ: ; СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ: ФЛЕШ-ПАМЯТЬ (ФЛЕШ-ЭС ППЗУ) , РАЗМЕР ПАМЯТИ 1 ГБИТ, НАПРЯЖЕНИЕ 3, 6 В, ЧАСТОТА 133 МГЦ, СИЛА ТОКА 50 МА; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, НЕ ДЛЯ ПОЖАРНОЙ АВТОМАТИКИ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ: ; МИКРОСХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОГО ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (ФЛЭШ-ЭСППЗУ) , ТИП ФЛЭШ, ОБЪЕМ ПАМЯТИ 1 ГБИТ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ФЛЕШ-ЭС ППЗУ: СХЕМА ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ - ФЛЭШ-ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ 1024МЕГАБИТ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПРОМЫШЛЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ) АРТ. W25N01GVZEIG - X ШТ, ; А ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ - ФЛЭШ-ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ 1024МЕГАБИТ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПРОМЫШЛЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ (НЕ ЛОМ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, СХЕМА ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ 16 ГБИТ, НЕ РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ ИМЕЮТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ, ОТВЕЧАЮТ ЗА ХРАНЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ НА УСТРОЙСТВЕ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ: ; МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ EMMC, РАЗМЕР ПАМЯТИ - 16 ГБИТ, ТИП ПАМЯТИ - EMMC, СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ - 320 МБ/С, РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ - ОТ 2. 7 ДО 3. 6 В, ТИПОРАЗМЕР - TFBGA-153 (11. 5*13*1. 1 ММ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ: ФЛЭШ-ЭС ППЗУ БОЛЕЕ 512 МБИТ ; МАРКА SELECTRONICS; ЦИФРОВЫЕ, СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ОКСИД-ПОЛУПРОВОДНИК (МОП-СТРУКТУРЫ) ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПЛАТЫ ПРОГРАММИРУЕМЫХ КОНТРОЛЛЕРОВ, НАПРЯЖЕНИЕ 2. 7 В, ПАМЯТЬ 8 ГБ, НЕ ДЛЯ БЫТОВОГО ПРИМЕНЕНИЯ, ПРИМЕНЯЕТСЯ В СФЕРЕ ПРОМЫШЛЕННОЙ АВТОМАТИЗАЦИИ ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ СХЕМА ВНУТРИСИСТЕМНО ПРОГРАММИРУЕМОЙ КОНФИГУРАЦИОННОЙ ПАМЯТИ, ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ В ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОМ ОБОРУДОВАНИИ: ; ИС НЕ ОБЛАДАЕТ ФУНКЦИЯМИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , ИС ФЛЕШ-ПАМЯТИ, ТИП ПАМЯТИ NAND, ОБЪЁМ 16 ГБИТ (2Г*8) , ИНТЕРФЕЙС PARALLEL, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2. 7- 3. 6 В, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40 +85С, КОРПУС TSOP-48, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СТИРАЕМЫЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ФЛЭШ ЭС-ППЗУ, С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ БОЛЕЕ 512 МБИТ, НЕ ИМЕЕТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , НЕ ДЛЯ НЕГЛАСНОГО ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ: ; МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ DRAM ПАМЯТЬ С ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕЙСОМ, ОБЪЁМОМ 4. 295 ГБИТ, В КОРПУСЕ FBGA96 . НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 1. 283. .. 1. 45 В; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ СХЕМА ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА ЭС ППЗУ (EEPROM) , ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ В ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОМ ОБОРУДОВАНИИ; ИС ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА ЭС ППЗУ (EEPROM) , НЕЗАПИСАННОЕ, ОБЪЕМ ПАМЯТИ 2КБИТ(256 X 8) , ПАМЯТЬ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ ИНТЕРФЕЙСОМ SPI, ЧАСТОТОЙ ОБМЕНА 10 МГЦ, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2, 5-5, 5В, КОРПУС SOT-23-6, ДИПАПЗОН; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ: ИТОГО: 353 ПР. ЕД. ; А ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ - ФЛЕШ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ 2 ГБИТ. , ДЛЯ БЫТОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ (НЕ СОДЕРЖИТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , НЕ ДЛЯ ПОЖАРНОЙ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, НЕ ДЛЯ ПОЖАРНОЙ АВТОМАТИКИ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ: ; МИКРОСХЕМЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМЫХ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ (ЭС ППЗУ) , ТИП ФЛЭШ, ОБЪЕМ ПАМЯТИ 4 ГБИТ. ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, НЕ ДЛЯ ПОЖАРНОЙ АВТОМАТИКИ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ: ; ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМЫЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ФЛЕШ-ЭС ППЗУ) , ФЛЭШ-ПАМЯТЬ NAND, ОБЪЕМ ПАМЯТИ 4 ГБИТ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ СХЕМА ВНУТРИСИСТЕМНО ПРОГРАММИРУЕМОЙ КОНФИГУРАЦИОННОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ, ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОМ ОБОРУДОВАНИИ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ АРТ: MT29F2G08ABAEAWP-IT: E - X ШТ; ИС ФЛЕШ-ПАМЯТИ, ТИП ПАМЯТИ NAND, ОБЪЁМ ПАМЯТИ 2 ГБИТ, ОРГАНИЗАЦИЯ ПАМЯТИ 256М*8, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2, 7 В ДО 3, 6 В, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА - 40 С ДО + 85 С, КОРПУС TSOP-48; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ (ФЛЭШ-ЭС ППЗУ) ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ (НЕ РАДИОЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ СОДЕРЖАТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ) :; А ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ - КОНФИГУРАЦИОННАЯ ПАМЯТЬ ППВМ ТИПА NOR-ФЛЭШ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 1, 8 В, РАЗМЕР ПАМЯТИ 1 ГИБИТ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ: МОНОЛИТНАЯ МИКРОСХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЙ ФЛЭШ ПАМЯТИ ОБЪЕМОМ 4 ГБАЙТА, В КОРПУСЕ FBGA-153 ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЕ, ДЛЯ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ, МОДЕЛЬ SDIN7DP2-4G; НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 2. 7 : 3. 6 B. РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: -25 . .. .. 85°C; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
ФЛЭШ-ЭС ППЗУ С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ БОЛЕЕ 512 МИБИТ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ (НЕ РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ ИМЕЮТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) :: ; МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ - КОНФИГУРАЦИОННАЯ ПАМЯТЬ ППВМ ТИП NOR-ФЛЭШ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 1, 8 В, РАЗМЕР ПАМЯТИ 1 ГБИТ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МОНОЛИТЫЕ ДЛЯ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПРОМЫШЛЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ И БЫТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ) . ВСТРАИВАЕМЫЕ. НЕ ЯВЛЯЕТСЯ СПЕЦИАЛЬНЫМ ТЕХНИЧЕСКИМ СРЕДСТВОМ ДЛЯ НЕГЛАСНОГО СБОРА И РЕГИСТРАЦИИ ИНФОРМАЦИИ: ; ИС ПАМЯТЬ , РАЗМЕР ПАМЯТИ 4 GB, НА НАПРЯЖЕНИЕ 1, 26В; НЕ ИМЕЕТ ФУНКЦИЙ ШИФРОВАНИЯ И КРИПТОГРАФИИ И НЕ СОДЕРЖИТ В СВОЕМ СОСТАВЕ ШИФРОВАЛЬНЫЕ И КРИПТОГРАФИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СТИРАЕМЫЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ФЛЭШ ЭС-ППЗУ, С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ БОЛЕЕ 512 МБИТ, НЕ ИМЕЕТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , НЕ ДЛЯ НЕГЛАСНОГО ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ: ; МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ RAM ПАМЯТЬ С PARALLEL ИНТЕРФЕЙСОМ, ОБЪЁМОМ 4 ГБИТ, В КОРПУСЕ FBGA96 . НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ: 1. 425. .. 1. 575 В; (ФИРМА) ; (TM)
8542 32 690 0
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МОНОЛИТНЫЕ: ИТОГО: 39ПР. ЕД. ; А ЭЛЕКТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МОНОЛИТНАЯ - ЭНЕРГОЗАВИСИМОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ОБЪЕМОМ ПАМЯТИ 16 ГБИТ. , ТИП EMMC, ДЛЯ БЫТОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ (НЕ СОДЕРЖИТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) , НЕ ДЛЯ ПОЖАРНОЙ АВТОМАТИКИ, НЕ ВОЕННОГО; (ФИРМА) ; (TM)