Код 8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
РАЗДЕЛ XVI
85
8542
8542 90 000 0
| Импортная пошлина: | 0% | |
| Экспортная пошлина: | Отсутствует | |
| Ввозной НДС: | 20% |
Для ввоза (вывоза) могут потребоваться следующие документы
Приведенный список документов основан на коде товара по ТН ВЭД и является ориентировочным. Необходимость получения документов зависит от характеристик конкретного товара.
Свяжитесь с нами для получения более точной информации.
Мы готовы оформить для Вас все эти документы.
Документы о соответствии Техническим регламентам ЕАЭС
Виды документов: Сертификат соответствия, Декларация о соответствии
* отдельные технические регламенты предусматривают иные виды подтверждения соответствия.
Документы требуются при ввозе товаров, на которые распространяются требования технических регламентов ЕАЭС, а также при их обращении и использовании на территории ЕАЭС. Общий перечень видов таких товаров установлен Решением Комиссии Таможенного союза от 28 ноября 2011 г. № 526.
Более подробная информация для данного кода ТН ВЭД представлена ниже.
Документы экспортного контроля
Виды документов: Идентификационное заключение ФСТЭК, Лицензия ФСТЭК, Разрешение КЭК.
Документы требуются при вывозе с территории России (иногда при ввозе) товаров двойного назначения (или товаров, которые потенциально могут быть отнесены к таковым).
Под товарами двойного назначения понимается продукция, которая потенциально может быть использована как в гражданской, так и в военной сфере.
Примеры декларирования по данному коду
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА КТ-28В-1 (БЕЗ КРЫШКИ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI , 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; КРЫШКА КЕРАМИЧЕСКАЯ (CERAMIC LID) К КОРПУСУ DIP08 (ТИП МК 2103. 8-А) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА CQFP240-6 PACKAGE CQFP240; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА DIP08 (БЕЗ КРЫШКИ) (ТИП МК 2103. 8-А) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА DIP24 (БЕЗ КРЫШКИ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА CQFP68L (БЕЗ КРЫШКИ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ KT-121 (МК KT-121) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ; ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА TMS320VC5509APGE; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ; OPEN CAVITY PACKAGES/ КОРПУС TOPLINE M-QFN16W. 65-G6 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОТОТИПОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ЦЕНТРАХ, ЛАБОРАТОРИЯХ И ПРИ ПОДГОТОВКЕ СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА, ПОЛЫЙ КОРПУС ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ УСТАНОВКИ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ; OPEN CAVITY PACKAGES/ КОРПУС TOPLINE M-QFN16W. 65-G6 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОТОТИПОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ЦЕНТРАХ, ЛАБОРАТОРИЯХ И ПРИ ПОДГОТОВКЕ СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА, ПОЛЫЙ КОРПУС ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ УСТАНОВКИ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ РАДИОЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, СОДЕРЖ. ДРАГ. МЕТ. МЕНЕЕ 2%, БЕЗ ВОЗМОЖНОСТИ ИЗВЛЕЧЕНИЯ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, УПАК. В КАРТ. КОР. С МАРКИРОВКОЙ 250-40405945; КОРПУС 201. 14-10 ПРЕДСТАВЛЯЕТ СОБОЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ КОМПОРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ (СОГЛАСНО ГОСТ 17467-88) ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ЗАЩИТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ПРИМЕНЯЕТСЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ МИКРОСХЕМ (МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ) , ДЛЯ СБОРКИ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ, НЕ ИМЕЮТ ФУНКЦИИ ШИФРОВАНИЯ (КРИПТОГРАФИИ) МИКРОСХЕМЫ(ЧИП) ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРИЕМНЫХ И ПЕРЕДАЮЩИХ КАРТАХ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ВО ВСЕХ УСТРОЙСТВАХ (ГДЕ ЕСТЬ ETHERNET ПОРТ) НУЖЕН ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ МЕЖДУ ПОРТАМИ, ЧТОБЫ ПАКЕТ ДАННЫХ УШЕЛ В НУЖНЫЙ ПОРТ; А(ЧИП) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ: ; РАЗРЕЗАННЫЕ КРИСТАЛЛЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ СБИС МФЕ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; КРЫШКИ КОРПУСОВ DLCC6 (КОРПУС МК 5214. 6-АНЗ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ DLCC6 (КОРПУС МК 5214. 6-АНЗ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА CQFP256-3; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ : ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКУЮ ПЛАТУ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ, МАТЕРИАЛ - КОВАР (НК29, МАГНИТНЫЙ СПЛАВ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ КОБАЛЬТА (CO, 17%) , НИКЕЛЯ (NI, 29%) , УГЛЕРОДА (C, 0, 01%) , МАГНИЯ (MN, 0, 3%) , КРЕМНИЯ (SI, 0. 2%) , ЖЕЛЕЗА (FE, ОСТАЛЬНОЕ) ), ВСЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮТ ЗАЩИТНОЕ АНТИКОРРОЗИЙНОЕ ПОКРЫТИЕ. ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ (ЧИПОВ) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ; ОСНОВАНИЕ КОРПУСА DIP24 (БЕЗ КРЫШКИ) ; (ФИРМА) ; (TM)
8542 90 000 0
ЧАСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ; OPEN CAVITY PACKAGES/ КОРПУС TOPLINE M-QFN12W. 5-G6 (X ШТ. ) ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОТОТИПОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ЦЕНТРАХ, ЛАБОРАТОРИЯХ И ПРИ ПОДГОТОВКЕ СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА, ПОЛЫЙ КОРПУС ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ; (ФИРМА) ; (TM)