Пояснения к ТН ВЭД ЕАЭС

ТОВАРНАЯ ПОЗИЦИЯ 8541

ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ И АНАЛОГИЧНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ; ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ВКЛЮЧАЯ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ, СОБРАННЫЕ ИЛИ НЕ СОБРАННЫЕ В МОДУЛИ, ВМОНТИРОВАННЫЕ ИЛИ НЕ ВМОНТИРОВАННЫЕ В ПАНЕЛИ; СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ; ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ В СБОРЕ

(А) ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ И АНАЛОГИЧНЫЕ

Они определены в примечании 9 (а) к данной группе.

Работа приборов данной категории основана на электронных свойствах некоторых "полупроводниковых" материалов.

Основным свойством этих материалов является то, что при комнатной температуре их удельная проводимость имеет промежуточные значения между удельной проводимостью проводников (металлов) и диэлектриков. Они представляют собой некоторые руды (например, кристаллический галенит), четырехвалентные химические элементы (германий, кремний и т.д.) или комбинации химических элементов (например, трехвалентных и пятивалентных элементов, таких как арсенид галлия, антимонид индия).

Полупроводниковые материалы, состоящие из четырехвалентного химического элемента, являются обычно монокристаллическими. Они используются не в чистом виде, а после очень слабого легирования (в соотношении, выражаемом в частях на миллион) специальной примесью (легирующей примесью).

Для четырехвалентного элемента примесью может быть пятивалентный химический элемент (фосфор, мышьяк, сурьма и т.д.) или трехвалентный элемент (бор, алюминий, галлий, индий и т.д.). Первый образует полупроводники n–типа с избытком электронов (отрицательно заряженные); последний образует полупроводники p–типа с дефицитом электронов, то есть в которых преобладают дырки (положительно заряженные).

Полупроводниковые материалы на основе трех– и пятивалентных химических элементов также легируются.

В полупроводниковых материалах, состоящих из руд, примеси, содержащиеся в природной руде, выполняют функции легирующих примесей.

Полупроводниковые приборы этой категории обычно имеют один или более "переходов" между материалами полупроводника p–типа и n–типа.

Они включают:

(I) Диоды, которые являются двухэлектродными приборами с одним p–n–переходом. Они позволяют проходить току в одном (прямом) направлении, но обладают очень большим сопротивлением в другом (обратном) направлении. Они используются для детектирования, выпрямления, коммутации и т.д.

Главными типами диодов являются: сигнальные диоды, мощные выпрямительные диоды, стабилитроны, опорные диоды.

(II) Транзисторы являются трех– или четырехэлектродными приборами, предназначенными для усиления, генерирования или преобразования частоты электрических токов. Режим работы транзистора зависит от изменения удельного сопротивления между двумя электродами при приложении электрического поля к третьему электроду. Прилагаемый сигнал управления или поле является более слабым, чем получаемый эффект, вызванный изменением сопротивления, и таким образом в результате получают эффект усиления.

К транзисторам относятся:

(1) Биполярные транзисторы, которые являются трехэлектродными приборами, состоящими из двух переходов диодного типа, транзисторное действие которых зависит как от положительных, так и отрицательных носителей заряда (поэтому и называемых биполярными).

(2) Полевые транзисторы, также известные как структуры металл–оксид–полупроводники (МОП), которые могут иметь, а могут и не иметь перехода, но которые зависят от вызванного обеднения (или обогащения) имеющихся свободных носителей заряда между двумя электродами. Транзисторное воздействие в полевом транзисторе использует лишь один тип носителя заряда (поэтому они и называются униполярными). Паразитный диод, который формируется в кристалле МОП–транзисторов (также известных как МОППТ), может действовать как обратный диод во время отключения индуктивной нагрузки. МОППТ, имеющие четыре электрода, называются тетродами.

(3) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ), которые являются приборами с тремя электродами – затвор и два нагрузочных электрода (эмиттер и коллектор). Путем подачи соответствующего напряжения между затвором и эмиттером, осуществляется управление током в одном направлении, т.е. его можно включать и выключать. БТИЗ чипы могут быть совмещены с диодами в одном корпусе (составные БТИЗ) для защиты БТИЗ и обеспечения его функционирования в качестве транзистора.

(III) Аналогичные полупроводниковые приборы. К "аналогичным" приборам, упоминаемым здесь, относятся полупроводниковые приборы, работа которых зависит от изменений удельного сопротивления при приложении электрического поля.

Они включают:

(1) Тиристоры, состоящие из четырех зон проводимости в полупроводниковых материалах (трех или более p–n–переходов), через которые проходит постоянный ток в заранее заданном направлении, когда импульс управления инициирует проводимость. Они используются в качестве управляемых выпрямителей, переключателей или усилителей и работают как два включенных навстречу друг другу комплементарных транзистора с общим коллектором.

(2) Тринисторы (симметричные триодные тиристоры), имеющие пять областей с различной проводимостью в полупроводниковых материалах (четыре p–n–перехода), через которые переменный ток проходит, когда импульс управления инициирует проводимость.

(3) Динисторы, имеющие три области полярной проводимости в полупроводниковых материалах (два перехода p–n–типа) и используемые для получения импульсов, требуемых для работы тринистора.

(4) Варакторы (или диоды переменной емкости).

(5) Полевые приборы, например, гридисторы.

(6) Приборы на эффекте Ганна.

К этой категории, однако, не относятся полупроводниковые приборы, которые отличаются от вышеупомянутых тем, что их работа зависит, в первую очередь, от температуры, давления и т.д., такие как нелинейные полупроводниковые резисторы (терморезисторы, варисторы, магниторезисторы и т.д.) (товарная позиция 8533).

Для фоточувствительных приборов, работа которых зависит от световых лучей (фотодиоды и т.д.), см. пункт (Б).

Описанные выше приборы входят в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными, то есть с их электродами, выводами или соединительными проводниками, или в корпусе (компоненты), несобранными (элементы) или даже в виде не разрезанных на кристаллы шайб (пластины). Однако природные полупроводниковые материалы (например, галенит) включаются в данную товарную позицию, лишь когда они собраны.

В данную товарную позицию также не включаются химические элементы группы 28 (например, кремний и селен), легированные для использования в электронике в виде шайб, пластин или в аналогичных формах, независимо от того, полированы они или нет, покрыты однородным эпитаксиальным слоем или нет, при условии, что они не были селективно легированы или легированы методом диффузии для образования участков с различной проводимостью.

(Б) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

К этой категории относятся фоточувствительные полупроводниковые приборы, в которых воздействие видимых лучей, инфракрасных или ультрафиолетовых лучей вызывает изменения в удельном сопротивлении или генерирует электродвижущую силу посредством внутреннего фотоэффекта.

Фотоэмиссионные трубки (фотоэлементы), работа которых основана на внешнем фотоэффекте (фотоэмиссии), относятся к товарной позиции 8540.

Главными типами фоточувствительных полупроводниковых приборов являются:

(1) Фоторезисторы (светочувствительные резисторы), обычно состоящие из двух электродов, между которыми находится полупроводниковый материал (сульфид кадмия, сульфид свинца и т.д.), электрическое сопротивление которого изменяется от интенсивности излучения, падающего на элемент.

Эти элементы используются в детекторах пламени, в экспонометрах для автоматических камер, для подсчета перемещающихся объектов, для автоматических прецизионных измерительных устройств, в системах автоматического открывания дверей и т.д.

(2) Фотогальванические элементы, которые превращают свет непосредственно в электрическую энергию без необходимости во внешнем источнике тока. Фотогальванические элементы на основе селена используются главным образом в люксметрах и экспонометрах. Фотогальванические элементы на основе кремния имеют более высокий квантовый выход и используются, в частности, в управляющем и регулирующем оборудовании, для обнаружения световых импульсов, в волоконно–оптических линиях связи и т.д.

Специальными категориями фотогальванических элементов являются:

(i) Солнечные элементы, кремниевые фотогальванические элементы, которые превращают солнечный свет непосредственно в электрическую энергию. Они обычно используются в виде солнечных батарей в качестве источников электрической энергии, например, в ракетах или спутниках, используемых при исследовании космоса, для передатчиков, применяемых для спасения потерпевших в горах.

В данную товарную позицию также включаются солнечные элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели. Однако в данную товарную позицию не включаются панели или модули, снабженные элементами, хотя и простыми (например, диодами для регулирования направления тока), которые подают энергию непосредственно, например, на двигатель, электролизер (товарная позиция 8501).

(ii) Фотодиоды (германиевые, кремниевые и т.д.), характеризуемые изменением электрического сопротивления при падении световых лучей на p–n–переход. Они используются в автоматической обработке информации (считывание, запоминание информации), в качестве фотокатодов в некоторых электронных трубках, в радиационных пирометрах и т.д. Фототранзисторы и фототиристоры принадлежат к этой категории фотоприемников.

Приборы этой категории отличаются, будучи собранными, от диодов, транзисторов и тиристоров вышеприведенного пункта (А) своим корпусом, который является частично прозрачным для обеспечения возможности прохождения света.

(iii) Оптроны и фотореле, состоящие из электролюминесцентных диодов в сочетании с фотодиодами, фототранзисторами или фототиристорами.

Фоточувствительные полупроводниковые приборы включаются в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными (например, с их электродами–выводами или соединительными проводниками), в корпусе или несобранными.

(В) СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ (LED)

Светоизлучающие диоды (LED) или электролюминесцентные диоды (на основе, inter alia, арсенида галлия или фосфида галлия) являются устройствами, которые преобразуют электрическую энергию в видимое, инфракрасное или ультрафиолетовое излучение. Они используются, например, для отображения или передачи информации в системах управления.

Лазерные диоды излучают луч когерентного света и используются, например, при обнаружении ядерных частиц, в оборудовании для измерения высоты или для телеметрии, в системах связи, использующих волоконную оптику.

(Г) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ В СБОРЕ

К ним относятся в основном кристаллы титаната бария (включая поликристаллические поляризованные элементы титаната бария), кристаллы титаната цирконата свинца или другие кристаллы товарной позиции 3824 (см. соответствующие пояснения), или кристаллы кварца или турмалина. Они используются в микрофонах, громкоговорителях, ультразвуковой аппаратуре, колебательных контурах стабилизированной частоты и т.д. Они относятся к данной товарной позиции только в случае, если они в сборе. Они обычно выполняются в виде пластин, прутков, дисков, колец и т.д. и должны, по меньшей мере, снабжаться электродами или электрическими соединениями. Они могут быть покрыты графитом, лаком и т.д. или смонтированы на опорах, и они часто находятся внутри баллона (например, металлического короба, стеклянной колбы). Если, однако, из–за добавки других компонентов законченное изделие (сборка плюс кристалл) не может больше рассматриваться просто как собранный кристалл и идентифицируется как специфическая часть машины или оборудования, то такая сборка классифицируется как часть машины или рассматриваемого оборудования: например, пьезоэлектрические элементы для микрофонов или громкоговорителей (товарная позиция 8518), звукоснимателей (товарная позиция 8522), элементы датчика (чувствительные элементы) ультразвуковых приборов для измерения толщины или обнаружения дефектов (обычно классифицируются в соответствии с примечанием 2 (б) к группе 90 или в товарной позиции 9033 в зависимости от конкретного случая), кварцевые резонаторы для электронных часов (товарная позиция 9114).

В данную товарную позицию также не включаются несобранные пьезоэлектрические кристаллы (в основном товарная позиция 3824, 7103 или 7104).

При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию.

Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении рабочего напряжения к прибору и измерении мощности рассеивания при температуре корпуса до 25 °C. Например, если транзистор способен выдерживать длительный ток нагрузки в 0,2 А при рабочем напряжении в 5 В, при поддержании температуры корпуса 25 °C, его мощность рассеивания составит 1 Вт (ток (в амперах) x напряжение (в вольтах) = мощность (в ваттах)).

Для транзисторов с элементом для отвода тепла (например, лепестком, металлическим корпусом) опорной температурой в 25 °C будет температура днища или корпуса, в то время как для других транзисторов (например, с простым пластмассовым корпусом) применима комнатная температура.